36氪首发 | 颠覆储存器行业？磁宇信息获华西股份千万级人民币B轮融资

上海磁宇信息科技有限公司（简称“磁宇信息”）对外宣布，已获得了千万级人民币的B轮融资，本轮唯一资方为一村资本的母公司华西股份（000936）。据悉，这笔资金将用于产品研发，进而提升产品良率和降低生产成本。

现下主流的储存器大致可分为两类：一类以传统内存DRAM、HM为代表，读写速度快但具有易失性（断电数据易丢失），另一类以传统闪存Flash为代表，具有非易失性但读写速度慢。

而MRAM（磁阻式随机存取记忆体记忆体）能同时兼顾非易失性和高速读写。由于铁磁体的磁性几乎永不消失，因而磁阻内存可以接近无限次地重写，切断电源时，记录的数据依然保存在磁性单元内，因而也不会丢失数据，在超高速读写时能耗也相对较低。

从MRAM芯片技术的特性上来看，它能解决计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题，从而改变消费者使用电子没备的方式。因此，MARM被视为大多数手机、PC、移动硬件等数字产品储存器的替代品。

但MRAM的制作工艺复杂，体积会随内存增加而增大，生产成本高等难以量产的缺点让储存器市场望而却步。

据一村资本投资团队尽调声称：目前为止，只有美国的TDK和Everspin两家半导体公司能够生产MRAM，成立于2014年的磁宇信息是国内第一家研发制造MRAM的公司。

磁宇信息正在研发的主要产品是40nm制程的高密度垂直结构磁性随机存储器pSTT-MRAM。这款芯片采用了两块纳米级铁磁体，两块铁磁体通过自旋极化电流产生高低磁阻，它们分别代表计算机语言中的1和0，进行图文音像的存取。

pSTT-MRAM克服了传统内存（DRAM）的高功耗/易失性和传统闪存（FLASH）的实用寿命短/可靠性低的缺陷，兼具非易失性、高可靠性、超低功耗、超长使用寿命。与平面STT-MRAM结构相比，垂直结构有效缩小了器件尺寸，为高集成度创造了可能。

PSTT-MRAM 与其他存储技术对比（来源：磁宇信息）

此外，MRAM只有核心原件——铁磁体需要专门设备制作，而磁宇信息是国内目前唯一拥有pSTT-MRAM专用12寸薄膜制造/测试设备和pSTT-MRAM专用12寸刻蚀设备的公司。

磁宇信息创始人兼CEO王践识告知36氪：“存储器的全球市场规模过千亿美元，其中大部分产生在中国对DRAM和HM等高性能储存器的进口，可以预见，中国对高性能存储器的需求非常大，但MRAM量产的关键在于提升良率和降低成本。”

目前，国外MRAM主要应用在固态硬盘内，实现固态硬盘性能的大幅度提升。固态硬盘一样是磁宇信息的产品起点，但磁宇信息希望走差异化应用道路：研发适用于人工智能设备、物联网（IOT）设备的MRAM储存器。

据悉，磁宇信息核心团队的10位海归博士全部来自TDK 和 Everspin等半导体企业。公司有关材料、线路设计产品架构，应用覆存储器新 CPU架构、图像处理、VR和嵌入式 MCU等已获中美批准的22个专利。

除磁宇信息外，一村资本及其关联企业在半导体领域，还投资了全球首款量产的终端推理AI芯片的制造商Gyrfalcon Technology Inc.（GTI），模拟与混合信号芯片供应商澜起科技（Montage Technology），垂直腔面发射激光器(VCSEL)供应商纵慧光电等。